[发明专利]一种绝缘体上硅结构形成方法

摘要

本发明涉及绝缘体上硅器件领域，具体为一种绝缘体上硅结构形成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上使多晶硅与氧化剂形成具有介质隔离作用的第一氧化层；在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第一通孔，除光刻胶；在第一氧化层表面，形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层上加氧化剂，使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层；在第二氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第二通孔；通过第二通孔，在第二氧化层表面，利用选择外延生长形成第二多晶硅层；利用碳注入，将碳注入到第一多晶硅层中，形成碳化硅薄膜。SiC具有很高的临界位移能，在SiC材料中由辐照而产生的电子空穴对要比辐照在体硅材料中产生的电子空穴对数目少很多，从而提高了器件的抗辐射性能。

主权项

一种绝缘体上硅结构形成方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）通过热氧化生长法，在多晶硅衬底上形成具有介质隔离作用的第一氧化层（101）；（2）在第一氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第一通孔（102），除光刻胶；（3）通过第一通孔，在第一氧化层表面，利用选择外延生长形成第一多晶硅层（201）；（4）在第一多晶硅层上，通过热生长使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层（301）；（5）在第二氧化层上涂光刻胶，曝光、刻蚀出第二通孔（202）；（6）通过第二通孔，在第二氧化层表面，利用选择外延生长形成第二多晶硅层（401）。