[发明专利]半导体器件中负载电流的过零检测有效
| 申请号： | 201210378158.3 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103036547A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·多梅斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H03K17/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件中负载电流的过零检测，公开了一种电路布置，包括具有栅电极和在发射极与集电极之间的电流路径的反向导通晶体管。该晶体管被构造成允许在正向上和反向上传导的负载电流通过负载电流路径并且被构造成通过在栅电极的相应信号被激活或被禁用。该电路布置还包括栅极控制单元和监控单元。栅极控制单元被连接至栅电极并且被构造成禁用该晶体管或者防止当晶体管处于反向导通状态时经由栅电极的晶体管的激活。监控单元被构造成检测，在晶体管通过栅极控制单元被禁用或防止激活的同时，在该负载电流过零时产生的，反向导通晶体管的集电极-发射极电压的突然上升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 负载 电流 检测 | ||
【主权项】：
一种电路布置，包括：反向导通晶体管，具有栅电极和在发射极与集电极之间的负载电流路径，所述晶体管被构造成允许在正向上和反向上使负载电流传导通过所述负载电流路径，并且被构造成通过在栅电极的相应信号被激活或被禁用；栅极控制单元，被连接至栅电极并且被构造成禁用所述晶体管或者防止当所述晶体管处于反向导通状态时经由所述栅电极激活所述晶体管；以及监控单元，被构造成检测在所述晶体管被禁用或通过所述栅极控制单元防止激活时，在所述负载电流过零时产生的所述反向导通晶体管的集电极‑发射极电压的突然上升。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210378158.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三元叶轮粗加工过程中牛鼻铣刀破损检测系统
- 下一篇：聚合物复合物泡沫
