[发明专利]集成MEMS传感器的晶圆级封装结构及其晶圆级封装方法无效
| 申请号： | 201210378123.X | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103708407A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 喻涵;毛剑宏;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成MEMS传感器的晶圆级封装结构及其晶圆级封装方法。集成MEMS传感器的晶圆级封装结构包括衬底和位于所述衬底上的介电质层，所述衬底中包括至少一个CMOS器件；所述衬底中包括一个或多个沟槽，所述沟槽的侧壁上具有绝缘层，所述沟槽中填充有金属，所述金属与所述衬底之间通过所述绝缘层相隔离；所述介电质层中具有与所述金属电连接的焊垫；所述介电质层中具有与所述CMOS器件和焊垫电连接的金属互连；所述介电质层的上面具有一个或多个MEMS传感器，所述MEMS传感器与所述金属互连电连接；所述MEMS传感器上面具有封装基板，所述封装基板具有与所述MEMS传感器上下相对应的通孔、盲孔或透明区域。本发明采用晶圆级封装能够降低封装成本，且封装体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 mems 传感器 晶圆级 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种集成MEMS传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的介电质层，所述衬底中包括至少一个CMOS器件；所述衬底中包括一个或多个沟槽，所述沟槽的侧壁上具有绝缘层，所述沟槽中填充有金属，所述金属与所述衬底之间通过所述绝缘层相隔离；所述介电质层中具有与所述金属电连接的焊垫；所述介电质层中具有与所述CMOS器件和焊垫电连接的金属互连；所述介电质层的上面具有一个或多个MEMS传感器，所述MEMS传感器与所述金属互连电连接；所述MEMS传感器上面具有封装基板，所述封装基板具有与所述MEMS传感器上下相对应的通孔、盲孔或透明区域。
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