[发明专利]半导体存储装置及半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。

主权项

一种半导体存储装置，其中，具备：存储器单元阵列，构成为在行方向及列方向分别排列多个存储器单元，所述存储器单元具备根据电阻的变化而存储信息的可变电阻元件，将同一列的所述存储器单元的各一端连接于共同的第1控制线，至少将同一行或同一列的所述存储器单元的各另一端分别连接于共同的第2控制线；选择电路，选择成为写入或读出的对象的所述存储器单元；写入电路，使被选择的所述存储器单元的所述可变电阻元件的电阻变化；以及读出电路，读出被选择的所述存储器单元的所述可变电阻元件的电阻状态，所述写入电路构成为能够分别执行设定工作和重置工作，所述设定工作通过从所述存储器单元的所述一端侧经由所述可变电阻元件向所述另一端侧流过电流，从而使所述可变电阻元件的电阻低电阻化，所述重置工作通过从所述存储器单元的所述另一端侧经由所述可变电阻元件向所述一端侧流过电流，从而使所述可变电阻元件的电阻高电阻化，所述读出电路构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，所述第1读出工作通过从所述存储器单元的所述一端侧经由所述可变电阻元件向所述另一端侧流过电流，从而读出所述可变电阻元件的电阻状态，所述第2读出工作通过从所述存储器单元的所述另一端侧经由所述可变电阻元件向所述一端侧流过电流，从而读出所述可变电阻元件的电阻状态。