[发明专利]一种形成双深度隔离沟槽的方法

摘要

本发明涉及半导体器件中的沟槽的制备领域，确切的说，涉及一种适用于图像传感器的具有不同深度的浅隔离沟槽结构的制备方法。在具有第一区域、第二区域的半导体衬底上形成厚度不同介质层，并形成厚介质层之中的第一类沟槽和形成薄介质层中的第二类沟槽，沿着第一类、第二类沟槽分别刻蚀第一区域、第二区域的衬底，分别形成位于第一区域、第二区域的衬底中的具有不同深度值的第一浅隔离沟槽和第二浅隔离沟槽。

主权项

一种形成双深度隔离沟槽的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在包含第一区域和第二区域的一衬底的上方由下至上依次形成衬垫氧化层、第一掩膜层和多晶硅层，多晶硅层至少包括与第一区域的衬底形成交叠的第一交叠部分和与第二区域的衬底形成交叠的第二交叠部分；步骤S2、在所述多晶硅层上涂覆一第一光刻胶层，并在第一光刻胶层中形成用于暴露出第二交叠部分的第一开口图形；步骤S3、利用第一光刻胶层作为掩膜，沿着所述第一开口图形在所述第二交叠部分中注入掺杂物；步骤S4、移除所述第一光刻胶之后在所述多晶硅层上沉积一第二掩膜层，且第二掩膜层包括位于第一交叠部分之上的厚掩膜层部分和位于第二交叠部分之上的对厚掩膜层部分具有台阶差的薄掩膜层部分；步骤S5、在所述第二掩膜层上涂覆一层第二光刻胶层，并在第二光刻胶层中形成至少暴露出厚掩膜层部分的一部分上表面区域的第二开口图形和形成至少暴露出薄掩膜层部分的一部分上表面区域的第三开口图形；步骤S6、利用第二光刻胶层作为掩膜，沿着第二开口图形刻蚀厚掩膜层部分、多晶硅层及第一掩膜层以形成第一类沟槽，和沿着第三开口图形刻蚀薄掩膜层部分、多晶硅层、第一掩膜层及衬垫氧化层以形成第二类沟槽；其中，形成第二类沟槽的时间短于形成第一类沟槽的时间并籍此在第二区域的衬底暴露于第二类沟槽中的上表面处刻蚀出一具有第一深度D1的第二浅隔离沟槽；步骤S7、移除第二光刻胶层后，沿着第一类沟槽刻蚀衬底氧化层暴露在第一类沟槽底部的区域后进一步刻蚀第一区域的衬底形成具有第三深度D3的第一浅隔离沟槽；以及同时沿着第二类沟槽刻蚀第二区域的衬底位于第一深度D1的第二浅隔离沟槽下方的部分，至第一浅隔离沟槽具有第二深度D2，其中第二深度D2大于第一深度D1并大于第三深度D3。