[发明专利]一种选择性发射极电池片二氧化硅膜的制备方法

摘要

本发明公开一种选择性发射极电池片二氧化硅膜的制作方法，它包括以下步骤：(1)硅片浸入在硅片硝酸溶液，硝酸浓度为65~70%，浸泡3-5min，浸泡温度恒定8℃，利用硝酸的氧化性，在硅片表面反应生成二氧化硅，同时反应副产物氮氧化物与水结合又产生亚硝酸，同样具有强氧化性，最终硅片表面形成致密的二氧化硅层；(2)用清水清洗步骤(1)浸泡过的电池片，清洗2min；(3)把步骤(2)清洗过的电池片放入烘烤炉中进行烘烤，烘烤温度恒定80℃，烘烤时间为4~8分钟，即制得电池片二氧化硅膜。这种二氧化硅膜制作方法简单，致密性好，反应易于控制，制作成本低廉，对掩膜法制备的高效选择性发射极电池生产提供更短的制作周期。

主权项

一种选择性发射极电池片二氧化硅膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将硅片浸入硝酸溶液，利用硝酸的氧化性，在硅片表面反应生成二氧化硅，同时反应副产物氮氧化物与水结合又产生亚硝酸，同样具有强氧化性，最终硅片表面形成致密的二氧化硅层；(2)清洗步骤(1)得到的电池片；(3)对步骤(2)的电池片进行烘烤，即得到二氧化硅膜。