[发明专利]可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法有效
| 申请号： | 201210374777.5 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102891433A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 梁松;赵玲娟;朱洪亮;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法，包括如下制作步骤：选择一衬底；在该衬底上外延生长增益区量子阱材料层，该增益区量子阱材料层分为第一和第二光栅区，增益区，相位区以及放大区；选择性腐蚀掉第一和第二光栅区，相位区以及放大区位置的增益区量子阱材料层，保留增益区部分的增益区量子阱材料层；在第一和第二光栅区，相位区及放大器区上依次生长相位区材料层及量子阱材料层；选择性腐蚀掉除放大器区以外的放大器量子阱材料层；在第一和第二光栅区上的相位区体材料层表面制作光栅；在制作完光栅的结构上生长接触层。本发明利用接生长在得到可独立优化的光栅区及相位区所需的体材料的同时获得用于制作高饱和输出功率放大器的量子阱材料。 | ||
| 搜索关键词： | 调谐 激光器 放大器 单片 集成 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法，包括如下制作步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上外延生长增益区量子阱材料层，该增益区量子阱材料层分为第一和第二光栅区，增益区，相位区以及放大区；步骤3：选择性腐蚀掉第一和第二光栅区，相位区以及放大区位置的增益区量子阱材料层，保留增益区部分的增益区量子阱材料层；步骤4：在第一和第二光栅区，相位区及放大器区上依次生长相位区材料层及量子阱材料层；步骤5：选择性腐蚀掉除放大器区以外的放大器量子阱材料层；步骤6：在第一和第二光栅区上的相位区体材料层表面制作光栅；步骤7：在制作完光栅的结构上生长接触层，完成器件结构的制备。
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