[发明专利]电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210370333.4 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103050477A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 神吉刚司;北田秀树 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件及其制造方法。所述电子器件包括：第一绝缘膜；在第一绝缘膜的表面上的互连沟槽；由Cu构成的互连图案，该互连图案填充互连沟槽；在互连图案的表面上的金属膜，该金属膜具有比Cu高的弹性模量；在第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及由Cu构成并且布置在第二绝缘膜中的通路塞，该通路塞与金属膜接触。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜的表面上的互连沟槽；由Cu构成的互连图案，所述互连图案填充所述互连沟槽；在所述互连图案的表面上的金属膜，所述金属膜具有比Cu高的弹性模量；在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及由Cu构成并且布置在所述第二绝缘膜中的通路塞，所述通路塞与所述金属膜接触。
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