[发明专利]应用于发光二极管的全方位反射镜无效

专利信息
申请号: 201210361176.0 申请日: 2012-09-25
公开(公告)号: CN103682061A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 王俊杰;曾启瑞 申请(专利权)人: 信泰光学(深圳)有限公司;亚洲光学股份有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 王小青
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种应用于发光二极管的全方位反射镜,是形成于发光二极管的磊晶基板的下表面,用以使预定波段内的光源朝磊晶基板的上表面行进,光源是自形成于磊晶基板上表面的发光膜层结构中的发光层所放射。该全方位反射镜包含:形成于磊晶基板下表面的反射膜层结构。反射膜层结构自磊晶基板下表面背向磊晶基板的方向为(H/L)m/(xH/xL)m。H与L分别为第一介电材料与第二介电材料的厚度,第一、二介电材料的折射率分别为n1与n2,且n1>n2。H等于λ0/4n1,L等于λ0/4n2,λ0为预定波段的中心波长,1.25≦x≦1.75,m≧8。
搜索关键词: 应用于 发光二极管 全方位 反射
【主权项】:
一种应用于发光二极管的全方位反射镜,是形成于发光二极管的磊晶基板的下表面,用以使预定波段内的光源朝该磊晶基板的上表面行进,其特征在于,该光源是自形成于该磊晶基板上表面的发光膜层结构中的发光层所放射,该全方位反射镜包含:反射膜层结构,形成于该磊晶基板的下表面,且该反射膜层结构自该磊晶基板的下表面背向该磊晶基板的方向为(H/L)m/(xH/xL)m;其中,H与L分别为第一介电材料的厚度与第二介电材料的厚度,该第一介电材料与该第二介电材料的折射率分别为n1与n2,且n1>n2;其中,H等于λ0/4n1,L等于λ0/4n2,且λ0为该预定波段的中心波长;及其中,1.25≦x≦1.75,m≧8。
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