[发明专利]双温区控制低温直接制备石墨烯的方法及双温区管式炉有效
| 申请号： | 201210360986.4 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102849733A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杨诚;满宝元;张超 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 邓建国 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双温区控制低温直接制备石墨烯的方法，将真空反应炉分为高温区和低温区，将过渡金属放入真空反应炉高温区中，将衬底材料直接放入低温区中，抽真空，将氢气注入真空反应炉中，对低温区升温至100-1000摄氏度，对高温区升温至1000-1100摄氏度，再将碳源通入真空反应炉，碳源经高温区的裂解进入低温区进行化学气相沉积，同时保持氢气流量不变，5-180分钟后即可得到直接沉积石墨烯的衬底。本发明还提供一种双温区管式炉。本发明生长工艺简单，无需催化；生长温度低，在100-1000℃之间；对衬底材料没有限制；生长的石墨烯缺陷峰低，具有极高的晶体质量；生长的石墨烯具有极好的透光性和电导率；可实现石墨烯的大面积生长。 | ||
| 搜索关键词： | 双温区 控制 低温 直接 制备 石墨 方法 双温区管式炉 | ||
【主权项】：
一种双温区控制低温直接制备石墨烯的方法，其特征是，将真空反应炉分为1000‑1100摄氏度的高温区和100‑1000摄氏度的低温区，将过渡金属放入真空反应炉高温区中，将衬底材料直接放入低温区中，抽真空，将氢气注入真空反应炉中，分别对低温区和高温区升温至相应的100‑1000摄氏度和1000‑1100摄氏度，再将碳源通入真空反应炉，碳源经高温区的裂解进入低温区进行化学气相沉积，同时保持氢气流量不变，5‑180分钟后即可得到直接沉积石墨烯的衬底。
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