[发明专利]半导体器件的应变结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210360028.7 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103378132A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李宗霖;叶致锴;袁锋;彭成毅;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 用于场效应晶体管(FET)的示例性结构包括：包含第一表面的硅衬底；位于第一表面上方的沟道部分，其中沟道部分具有位于第一表面之上第一高度处的第二表面以及平行于第一表面的长度；以及位于第一表面上并且沿着沟道部分的长度围绕沟道部分的两个源极/漏极(S/D)区，其中，这两个S/D区域包含SiGe、Ge、Si、SiC、GeSn、SiGeSn、SiSn或III-V族材料。本发明提供了半导体器件的应变结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 应变 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管(FET)，包括：硅衬底，包含第一表面；沟道部分，位于所述第一表面上方，其中，所述沟道部分具有位于所述第一表面之上第一高度处的第二表面以及平行于所述第一表面的长度；以及两个源极/漏极(S/D)区，位于所述第一表面上并且沿着所述沟道部分的长度围绕所述沟道部分，其中，所述两个S/D区域包含SiGe、Ge、Si、SiC、GeSn、SiGeSn、SiSn或III‑V族材料。
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