[发明专利]用于高电压MOS晶体管的装置和方法有效
| 申请号： | 201210359847.X | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103296063A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 曾昭玮;黄坤铭;庄正吉;杨富雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 高电压MOS晶体管包括在衬底上方形成的第一漏极/源极区、在衬底上方形成的第二漏极/源极区以及在衬底上方形成的第一金属层。第一金属层包括通过第一金属塞连接至第一漏极/源极区的第一导体，通过第二金属塞连接至第二漏极/源极区的第二导体以及在第一导体和第二导体之间形成的多个浮置金属环。浮置金属环有助于提高高电压MOS晶体管的击穿电压。本发明提供用于高电压MOS晶体管的装置和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电压 mos 晶体管 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一漏极/源极区，形成在衬底上方；第二漏极/源极区，形成在所述衬底上方；以及第一金属层，形成在所述衬底上方，所述第一金属层包括：第一导体，通过第一金属塞连接至所述第一漏极/源极区；第二导体，通过第二金属塞连接至所述第二漏极/源极区；以及多个第一浮置金属环，形成在所述第一导体和所述第二导体之间，其中，第一浮置金属环的截面长度约等于两个邻近的第一浮置金属环之间的距离。
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