[发明专利]一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片有效

专利信息
申请号: 201210355878.8 申请日: 2012-09-24
公开(公告)号: CN102881679A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 刘国友;覃荣震;黄建伟 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L29/739;H01L27/082
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪;周长清
地址: 412001 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片,它包括芯片,芯片的边缘为IGBT终端保护区,芯片的中间部分包括了IGBT元胞区、电流传感区和温度传感区;芯片正面上设有IGBT芯片栅极、IGBT芯片发射极、电流传感器负极、温度传感器正极和温度传感器负极,上述各电极之间通过对芯片表面金属化层刻蚀而间隔开来;IGBT芯片栅极和IGBT芯片发射极位于IGBT元胞区内,电流传感器负极位于电流传感区内,温度传感器正极和温度传感器负极位于温度传感区内,芯片背面上设有IGBT芯片集电极、电流传感区的电流传感器正极且两者同为一个电极。本发明具有结构更加简单紧凑、能够精准地监控和获取芯片工作时的温度和电流信息、以实现对模块内部芯片更好的保护、扩大其适用范围等优点。
搜索关键词: 一种 集成 温度 电流 传感 功能 igbt 芯片
【主权项】:
一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片,其特征在于:它包括芯片(5),所述芯片(5)的边缘为IGBT终端保护区(4),所述芯片(5)的中间部分包括了IGBT元胞区(1)、电流传感区(2)和温度传感区(3);所述芯片(5)正面上设有IGBT芯片栅极(11)、IGBT芯片发射极(12)、电流传感器负极(22)、温度传感器正极(31)和温度传感器负极(32),上述各电极之间通过对芯片(5)表面金属化层刻蚀而间隔开来;所述IGBT芯片栅极(11)和IGBT芯片发射极(12)位于IGBT元胞区(1)内,所述电流传感器负极(22)位于电流传感区(2)内,所述温度传感器正极(31)和温度传感器负极(32)位于温度传感区(3)内,所述芯片(5)背面上设有IGBT芯片集电极(13)、所述电流传感区(2)的电流传感器正极(21)且两者同为一个电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司,未经株洲南车时代电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210355878.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top