[发明专利]一种GaN基半导体发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210351827.8 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102856449A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/322 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaN衬底，以及在GaN衬底上沉积p型接触层、有源层、n型电子阻挡层、n型过渡层和n型接触层；其中形成GaN衬底的方法包括如下步骤：在常温常压下，将GaN晶片放入高温高压装置中；对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热，使GaN晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaN晶片恢复至常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 半导体 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基半导体发光二极管，包括依次层叠的衬底、p型接触层、有源层和n型接触层；其特征在于，衬底为GaN，p型接触层为p型AlGaN层，n型接触层为n型GaN层；有源层为AlGaN多量子阱。
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