[发明专利]金属电极具有阵列型微结构的发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210349636.8 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103682021B | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;王书方 | 申请（专利权）人： | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙)11382 | 代理人： | 苗青盛,王凤华 |
| 地址： | 528251 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种金属电极具有阵列型微结构的发光二极管，包括外延片衬底和制备在外延片衬底上的多层结构，所述多层结构由下至上依次为缓冲层、第一型半导体层、多量子阱活性层、电子阻挡层、第二型半导体层和透明电流扩展层，第一型金属电极和第二型金属电极制备在透明电流扩展层之上，且第一型金属电极和透明电流扩展层与第二型半导体层之间由绝缘层隔开。本申请还提供了相应的发光二极管制作方法。本发明能够明显改善发光二极管芯片在制造过程中有源区面积大幅减小的情况，可以有效的提高发光二极管的光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极 具有 阵列 微结构 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属电极具有阵列型微结构的发光二极管，包括外延片衬底和制备在外延片衬底上的多层结构，所述多层结构由下至上依次为缓冲层、第一型半导体层、多量子阱活性层、电子阻挡层、第二型半导体层和透明电流扩展层，第一型金属电极和第二型金属电极制备在透明电流扩展层之上，金属电极保护焊盘和导线两部分，且两部分自然连接,第一型金属电极和透明电流扩展层与第二型半导体层之间由绝缘层隔开，第二型金属电极的焊盘和透明电流扩展层之间由电流阻挡层隔开，所述第一型金属电极通过多个填充金属的微孔与所述第一型半导体层实现电连接，所述微孔中的金属与微孔所穿过的发光二极管各层之间具有侧壁绝缘层，所述发光二极管的最上层沉积有钝化保护层。
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