[发明专利]小结构的局部真空中修改有效
| 申请号： | 201210345182.7 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103066012B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | A.P.J.M.博曼;M.托思;S.兰多夫;D.H.纳鲁姆 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马永利,王忠忠 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及小结构的局部真空中修改。使用一种电荷转移机制来针对小结构来局部淀积或去除材料。创建局部电化学电池而不必将整个工件浸入浴中。电荷转移机制可以与荷电粒子束或激光系统一起使用以修改小结构，诸如集成电路或微机电系统。电荷转移工艺可以在空气中执行，在一些实施例中可以在真空室中执行。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 局部 空中 修改 | ||
【主权项】：
一种将材料局部淀积到表面上的方法，其中所述表面是绝缘表面或者是电隔离传导表面，所述方法包括：使用纳米笔将电解质施加到表面上，所述纳米笔包括纳米毛细管、纳米注射器或纳米移液器并且包括关联的电极，其中使用纳米笔将电解质施加到表面上包括使用纳米毛细管、纳米注射器或纳米移液器把电介质递送至所述表面；以及按照如下方式施加电流通过电解质以开始电化学反应，用于将电解质的成分淀积到表面上：将电位施加到相关联的电极；以及引导荷电粒子束以向电解质提供电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
