[发明专利]用于临界尺寸缩减和节距缩减的系统及方法

摘要

本发明涉及用于临界尺寸缩减和节距缩减的系统及方法。一种形成特征的方法，包括在下层上形成第一材料的掩模，该掩模具有未修正的形貌，修正该掩模的形貌，并且在该下层中形成特征。还公开了一种用于形成特征的系统。

主权项

一种在基片上形成器件的系统，包括：用于容纳基片的处理室，该处理室与气体歧管和控制器相连接；多个处理气体源，其流体连接于该气体歧管，该气体歧管连接于该控制器；以及控制器，其包括配方，该配方包括：用于在基片上形成掩膜的逻辑，该掩膜由第一材料形成，其中该用于形成掩膜的逻辑包括用于在第一层上形成掩膜层的逻辑以及在该掩膜层中形成至少一个开口的逻辑，该掩膜层中的该至少一个开口在该开口的至少一侧或该开口的底部具有不正确形貌；用于修正该掩膜层中该开口的至少一侧或该至少一个开口的底部的不正确形貌的逻辑，其包括至少下述之一：用于去除该掩膜层中的该至少一个开口的该至少一侧的底部以便该至少一侧与该掩膜层的顶表面大体垂直的逻辑；或用于在该掩膜层中的该开口的至少一侧增加第二部分材料以便该开口的该至少一侧与该掩膜层的顶表面大体垂直的逻辑。