[发明专利]光电探测器及其制造方法有效
申请号: | 201210335878.1 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN103515465A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 托拉尔夫·考奇 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/112 | 分类号: | H01L31/112;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李静;张云肖 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明公开了光电探测器及其制造方法。该光电探测器包括衬底和形成在衬底中的绝缘装置。绝缘装置电绝缘衬底的约束区。约束区被构造成响应辐照而生成自由电荷载流子。该光电探测器还包括被构造成提供光电流的读出电极装置,所述光电流由响应辐照而生成的自由电荷载流子的至少一部分形成。该光电探测器还包括通过绝缘装置与约束区电绝缘的偏置电极装置。偏置电极装置被构造成对约束区内的空间电荷载流子分布产生影响,使得与未被偏置状态相比,更少的自由电荷载流子在约束区的边界处复合。 | ||
搜索关键词: | 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电探测器,包括:衬底;绝缘装置,所述绝缘装置形成在所述衬底中并且电绝缘所述衬底的约束区,所述约束区被构造成响应辐照而生成自由电荷载流子;读出电极装置,所述读出电极装置包括与所述约束区的不同部分接触的至少两个电极并且被构造成提供光电流,所述光电流由响应所述辐照而生成的所述自由电荷载流子的至少一部分形成;以及偏置电极装置,所述偏置电极装置通过所述绝缘装置与所述约束区电绝缘,所述偏置电极装置被构造成被电偏置,这对所述约束区内的空间电荷载流子分布产生影响,使得与未被偏置状态相比,更少的所述自由电荷载流子在所述约束区的边界处复合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的