[发明专利]大翘曲硅片预对准装置及方法有效
申请号: | 201210333082.2 | 申请日: | 2012-09-10 |
公开(公告)号: | CN103681426A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 于大维;潘炼东;张冲 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种大翘曲硅片预对准装置,用于测量硅片的圆心和方向,包括:旋转台,用于吸附硅片并带动硅片进行旋转;照明光源,用于照明硅片边缘;预对准成像镜头,用于采样硅片边缘图像,预对准成像镜头为物方远心或双远心镜头,且包括成像传感器,硅片边缘被照明后被预对准成像镜头成像于成像传感器上;控制器,用于控制旋转台、照明光源和预对准成像镜头,以及对采样到的硅片边缘图像进行分析拟合,从而得到硅片的圆心和方向;根据本发明的建议,预对准成像镜头还包括最佳物面补偿系统,最佳物面补偿系统用于在采样前确定最佳物面,并在采样时对物距进行实时补偿,从而使硅片的各个边缘位置均能够清晰成像。 | ||
搜索关键词: | 大翘曲 硅片 对准 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种大翘曲硅片预对准装置,用于测量硅片的圆心和方向,包括:旋转台,用于吸附硅片并带动硅片进行旋转;照明光源,用于照明硅片边缘;预对准成像镜头,用于采样硅片边缘图像,所述预对准成像镜头为物方远心或双远心镜头,且包括成像传感器,所述硅片边缘被照明后被所述预对准成像镜头成像于所述成像传感器上;控制器,用于控制旋转台、照明光源和预对准成像镜头,以及对采样到的硅片边缘图像进行分析拟合,从而得到所述硅片的圆心和方向;其特征在于:所述预对准成像镜头还包括最佳物面补偿系统,所述最佳物面补偿系统用于在所述采样前确定最佳物面,并在所述采样时对物距进行实时补偿,从而使所述硅片的各个边缘位置均能够清晰成像。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备有限公司,未经上海微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210333082.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造