[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201210331577.1 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103022119A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 美浓浦优一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335;H03F3/193;H02M7/217;H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，所述半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、形成在第二半导体层上的第三半导体层、形成在第三半导体层上的栅电极以及形成在第二半导体层上的源电极和漏电极。第三半导体层由掺杂有p型杂质元素的半导体材料形成。在第三半导体层中，在栅电极的正下方形成有p型区域，并且在除p型区域之外的区域中形成有具有比p型区域高的电阻的高电阻区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的第二半导体层；形成在所述第二半导体层上的第三半导体层；形成在所述第三半导体层上的栅电极；和形成在所述第二半导体层上的源电极和漏电极，其中所述第三半导体层由掺杂有p型杂质元素的半导体材料形成，并且在所述第三半导体层中，在所述栅电极的正下方形成有p型区域，并且在除了所述p型区域之外的区域中形成有具有比所述p型区域高的电阻的高电阻区域。
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