[发明专利]光电转换装置在审
| 申请号： | 201210328042.9 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103000745A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 浅见良信;坚石李甫 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;林森 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个方式提供一种窗口层中的光吸收损失少的光电转换装置。本发明的一个方式是一种光电转换装置，包括：第一电极；形成在第一电极上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层；以及形成在第三半导体层上的第二电极，其中第一半导体层是包含有机化合物及无机化合物的透光半导体层，并且第二半导体层及第三半导体层是包含有机化合物的半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，包括：衬底；所述衬底上的第一电极；所述第一电极上的透光半导体层；所述透光半导体层上的第一半导体层；所述第一半导体层上的第二半导体层；以及所述第二半导体层上的第二电极，其中，所述透光半导体层包含有机化合物及无机化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
