[发明专利]透明衬底探测器芯片的封装方法及其封装结构无效
| 申请号： | 201210326171.4 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103663356A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞文;焦斌斌;陈大鹏;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B3/00;G01J5/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种透明衬底红外探测器芯片的封装方法，该芯片包括透明衬底和位于透明衬底上的芯片敏感结构，该方法包括：在透明衬底上生长第一中间物，第一中间物形成包围芯片敏感结构的第一图案；在另一基底上与第一中间物相对应地生长第二中间物，该基底是对预定波段射线透过率高的材料；以及将第一中间物和第二中间物通过键合工艺实现对芯片敏感结构的封装。该方法得到的封装结构简单，成本低，气密性好，制作工艺简单，适用于晶圆级封装。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 衬底 探测器 芯片 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种透明衬底探测器芯片的封装方法，所述芯片包括透明衬底和位于所述透明衬底上的芯片敏感结构，其中，所述方法包括：在所述透明衬底上生长第一中间物，所述第一中间物形成包围所述芯片敏感结构的第一图案；在基底上与所述第一中间物相对应地生长第二中间物，所述基底是对预定波段射线透过率高的材料；以及将所述第一中间物和所述第二中间物键合。
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