[发明专利]一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210325568.1 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102817073A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 赵桂娟;李志伟;桑玲;刘贵鹏;刘长波;谷承艳;魏鸿源;刘祥林;朱勤生;杨少延;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;C23C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，包括：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层，随后对该非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层进行高温退火，形成自组装纳米尺度的横向外延模板；利用MOCVD技术在横向外延模板上生长非极性A面高温GaN模板层；利用MOCVD技术，用氮气作为载气将铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在非极性A面高温GaN模板层上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室降到300摄氏度以下关闭氮源，完成非极性A面InGaN薄膜的生长。利用本发明，可以获得较高质量富In组分的InGaN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 in 组分 极性 ingan 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，其特征在于，包括：步骤1：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；步骤2：利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层，随后对该非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层进行高温退火，形成自组装纳米尺度的横向外延模板；步骤3：利用MOCVD技术在横向外延模板上生长非极性A面高温GaN模板层；步骤4：利用MOCVD技术，用氮气作为载气将铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在非极性A面高温GaN模板层上生长InGaN薄膜；步骤5：关闭铟源和镓源，反应室降到300摄氏度以下关闭氮源，完成非极性A面InGaN薄膜的生长。
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