[发明专利]不同线密度的一维硅纳米线的制备方法

摘要

本发明公开了一种不同线密度的一维硅纳米线的制备方法，包括以下步骤：a、硅片的预处理；b、金属催化刻蚀法制备一维硅纳米线阵列，分以下两步：第一步，沉积银纳米颗粒：将经预处理的硅片于HF-AgNO3的混合水溶液中浸渍20～40s，其中HF的浓度为0.1～0.2mol/L，AgNO3的浓度为0.008～0.012mol/L；第二部，金属辅助刻蚀：将第一步得到硅片浸入HF-H2O2的混合刻蚀液中，并在室温下刻蚀20～40min；c、后处理。制得的一维硅纳米线阵列在紫外漫反射，光电流特性和光催化反应过程中光电性能有明显的提高，且可以调整工艺参数从而控制硅纳米线的形貌和密度，制备方法简单，成本低廉无污染。

主权项

一种不同线密度的一维硅纳米线的制备方法，其特征在于包括以下步骤：a、硅片的预处理：硅片经清洗后，浸入氢氟酸溶液中去除表面的氧化层，并用氢气吹干；b、金属催化刻蚀法制备一维硅纳米线阵列，分以下两步：第一步，沉积银纳米颗粒：将经预处理的硅片于HF‑AgNO3的混合水溶液中浸渍20～40s，其中HF的浓度为0.1～0.2mol/L，AgNO3的浓度为0.008～0.012mol/L；第二部，金属辅助刻蚀：将第一步得到硅片浸入HF‑H2O2的混合刻蚀液中，并在室温下刻蚀20～40min；c、后处理：将刻蚀完的硅片置于HNO3溶液中，去除沉积的Ag粒子，然后用去离子水清洗，最后在60℃下干燥。