[发明专利]一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管， 从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，该氮化镓基异质结场效应晶体管还包括与衬底接触的背电极。本发明中的背电极通过调制器件缓冲层电势分布，增大二维电子气沟道与P型铝铟镓氮缓冲层之间的电势差，使沟道二维电子气与缓冲层内P型杂质达到完全耗尽，从而使器件沟道电场分布更加均匀，提升器件的击穿电压。

主权项

一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底（309），氮化铝（AlN）成核层（308），P型缓冲层（307），氮化镓（GaN）沟道层（306），氮化铝（AlN）插入层（305）及势垒层（304）组成，在势垒层（304）上形成有源极（301）、漏极（302）和栅极（303），源极（301）及漏极（302）与势垒层（304）形成欧姆接触，栅极（303）与势垒层（304）形成肖特基接触，其特征在于：还包括与衬底（309）接触的背电极（310）。