[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210320857.2 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103035683A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 多木俊裕;冈本直哉;美浓浦优一;牧山刚三;尾崎史朗 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT(高电子迁移率晶体管)具有：化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的上侧的保护膜以及填充开口并且具有骑在化合物半导体层上的形状的栅电极，其中保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且，开口包括形成在下绝缘膜中的第一开口和形成在上绝缘膜中且比第一开口宽的第二开口，第一开口与第二开口彼此连通。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；具有开口并且覆盖所述化合物半导体层的上侧的保护膜；和填充所述开口并且具有骑在所述化合物半导体层上的形状的电极，其中所述保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且其中所述开口具有形成在所述下绝缘膜中的第一开口和形成在所述上绝缘膜中并且比所述第一开口宽的第二开口，所述第一开口和所述第二开口彼此连通。
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