[发明专利]用于光子检测的半导体结构

摘要

本发明涉及用于光子检测的半导体结构。本发明提出了用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202)，其由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203)，其设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，104，204)，由具有第二掺杂的半导体材料构成，设置在距离所述接触区一距离的衬底的背侧，其中接触区至少部分地与偏置层相对，以便在横向方向出现重叠区域，保护环(5，105，205)，设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区，其中在接触区和保护环之间施加反向偏压。为了实现更加成本有效的制造，所述重叠区域具有至少达到接触区和偏置层之间距离的四分之一的横向范围。

主权项

一种用于光子检测的半导体结构(1，101，201)，包括：衬底(2，102，202，302，402，502)，由具有第一类型的掺杂的半导体材料构成，接触区(3，103，203，303，403，503)，设置在所述衬底的前侧，偏置层(4，104，204)，由具有第二掺杂的半导体材料构成，设置在距离所述接触区一距离的所述衬底的背侧上，其中所述接触区至少部分地与所述偏置层相对，以便在横向方向上存在重叠区域，保护环(5，105，205)，设置在所述衬底的前侧并围绕所述接触区，其中在所述接触区和所述保护环之间施加反向电压，其中所述重叠区域具有至少达到所述接触区和所述偏置层之间距离的四分之一的横向范围。