[发明专利]利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法有效
| 申请号： | 201210319231.X | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102820616A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 梁松;张灿;朱洪亮;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层，使不同的激光器单元具有不同厚度的上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上大面积制作光栅；步骤6：在光栅7上生长接触层，完成激光器阵列的制备。本发明在获得不同阵列单元不同发光波长的同时对量子阱材料的发光性能不产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 选择 区域 外延 技术 制作 分布 反馈 激光器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层，使不同的激光器单元具有不同厚度的上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上大面积制作光栅；步骤6：在光栅7上生长接触层，完成激光器阵列的制备。
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