[发明专利]用于中性原子的二维磁光阱有效

专利信息
申请号: 201210313637.7 申请日: 2012-08-29
公开(公告)号: CN102969038A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 杜胜望;张善超;周蜀渝;殷光裕;钦梅·贝尔坦加蒂 申请(专利权)人: 香港科技大学
主分类号: G21K1/00 分类号: G21K1/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;崔利梅
地址: 中国香港*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要: 提供了一种用于碱金属中性原子的二维(2D)磁光阱(MOT),其沿长对称轴建立零磁场。3对囚禁激光束中的2对不沿四极磁场的对称轴,而是与长轴成大的非零度夹角布置。在暗线二维磁光阱配置中,存在两束正交的再抽运光束。在每一束再抽运光中有一条不透明线被成像于长轴上,并且两条图像的交叠形成一条位于长轴上的暗线区域,此处没有再抽运光。沿长轴的零磁场区域可以使冷原子保持长的基态相干时间而无需关断磁光阱的磁场,这使高重复率和高占空比地对磁光阱进行操作成为可能。
搜索关键词: 用于 中性 原子 二维 磁光阱
【主权项】:
一种二维磁光阱装置,包括:可烘烤的超高真空吸收池;三维磁场线圈,其能够建立二维的四极磁场;以及6+2n束囚禁激光束,其中n为整数,根据二维四极磁场的对称性对所述囚禁激光束进行布置,其中所述囚禁激光束包括与长对称轴成非零度角布置的2+n对相向传播的激光束以及垂直于长对称轴的至少一对相向传播的激光束。
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