[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210313580.0 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103035672A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 今西健治 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H02M5/458;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。实施方案的化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成在电子供给层上或上方的栅电极、源电极和漏电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型半导体层；和形成在电子供给层和p型半导体层之间的空穴阻挡层，空穴阻挡层的带隙大于电子供给层的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成在所述电子供给层上或上方的栅电极、源电极和漏电极；形成在所述电子供给层和所述栅电极之间的p型半导体层；和形成在所述电子供给层和所述p型半导体层之间的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的带隙大于所述电子供给层的带隙。
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