[发明专利]在体硅上制备独立双栅FinFET的方法

摘要

本发明公开了一种在体硅上制备独立双栅FinFET的方法，主要的工艺流程包括：形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；形成氧化隔离层；形成栅结构和源漏结构；形成金属接触和金属互联。通过采用此方法可以在体硅片上很容易的形成独立双栅FinFET，而且整个工艺流程完全与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单、方便、周期短的特点，大大节省了硅片的成本。且采用本发明制备形成的独立双栅FinFET场效应晶体管，能够很好的抑制短沟道效应，并通过独立双栅器件特有的多阈值特点进一步降低器件的功耗。

主权项

一种在体硅上制备独立双栅FinFET的方法，包括如下步骤：a)形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构i.在硅衬底上淀积氧化硅、氮化硅作为硬掩膜；ii通过一次电子束光刻，刻蚀氮化硅、氧化硅工艺，在硬掩膜上形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；iii.去掉电子束光刻胶；iv.刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；b)形成氧化隔离层i.淀积一层新的氮化硅；ii利用各项异性干法刻蚀刻蚀新的氮化硅，在Fin条两侧形成氮化硅侧墙；iii.利用各项异性干法刻蚀刻蚀Fin条两侧裸露出来的硅衬底；iv.通过湿法氧化在Fin条下面和Fin条两侧衬底表面形成氧化层；c)形成栅结构和源漏结构i.湿法腐蚀去掉氮化硅侧墙和氮化硅硬掩膜；ii热氧化生长一层栅氧化层；iii.淀积一层多晶硅作为栅材料；iv.CMP化学机械抛光，使多晶硅平坦化，并且停止在Fin条顶部氧化硅硬掩膜表面；v.通过电子束光刻，刻蚀多晶硅栅材料，形成多晶硅栅线条，Fin条两侧的栅线条不连接在一起，相互独立；vi.通过离子增强化学气相淀积以及回刻，形成氧化硅侧墙；vii进行离子注入和高温退火，形成源漏结构。