[发明专利]一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210311691.8 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856385A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 王新;朱怀宇 | 申请（专利权）人： | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有沟槽源极场板的TrenchMOSFET晶体管及其制备方法，所述晶体管下往上依次包括漏极（213）、衬底（200）、漂移区（201）及源极（212）；漂移区（201）设有若干深沟槽（202），深沟槽（202）内设有沟槽源极场板（204），沟槽源极场板（204）两侧的深沟槽（202）内设有厚氧化层（203），沟槽源极场板（204）两侧的厚氧化层（203）上各设有一个栅极（206），栅极（206）与深沟槽（202）的内壁之间设有栅极氧化层（205）。通过本发明，能增强晶体管的耐压能力，同时获得更快的开关速度、更小的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 源极场板 trench mosfet 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管，其特征在于：从下往上依次包括漏极（213）、衬底（200）、漂移区（201）及源极（212）；所述漂移区（201）设有若干深沟槽（202），深沟槽（202）内设有沟槽源极场板（204），所述沟槽源极场板（204）两侧的深沟槽（202）内设有厚氧化层（203），沟槽源极场板（204）两侧的厚氧化层（203）上各设有一个栅极（206），栅极（206）与深沟槽（202）的内壁之间设有栅极氧化层（205）；所述相邻深沟槽（202）之间设有体区（207），所述体区（207）的上方设有两个源区（208）和一个欧姆接触区（211），两个源区（208）分别位于欧姆接触区（211）的两侧；所述深沟槽（202）的上方设有隔离氧化层（209），隔离氧化层（209）上设有若干接触孔（210），欧姆接触区（211）通过接触孔（210）与源极（212）连通。
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