[发明专利]一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法

摘要

一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其步骤包括先将硅片进行预处理；再向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末，制备二氧化硅沉积溶液；然后将预处理后的硅片浸没入配制的二氧化硅沉积溶液中，保持溶液温度20～80℃，光照0.5～6小时，光照强度为0.5～3个太阳，在所述硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。本发明的有益效果：较好地钝化了硅片表面的悬挂键，有效地提高了晶硅太阳能电池的少子寿命和开路电压，提高了晶硅太阳能电池的光电转换效率，降低晶硅太阳能电池生产成本。

主权项

一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其步骤如下：（1）将硅片进行预处理，所述硅片预处理的步骤包括①将硅片浸入氢氟酸溶液中清洗，浸泡2～3分钟，去离子水冲洗；②将清洗后的硅片进行制绒处理； ③将制绒后的硅片进行单面扩散制备PN结；④将扩散后的硅片表面去除磷硅玻璃；⑤将硅片进行刻边处理；（2）向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末，制备二氧化硅沉积溶液；（3）将步骤（1）中预处理后的硅片浸没入步骤（2）中配制的二氧化硅沉积溶液中，保持溶液温度20～80℃，光照0.5～6小时，光照强度为0.5～3个太阳，在所述硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。