[发明专利]一种图形化电极、制备方法和有机太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201210310835.8 申请日: 2012-08-28
公开(公告)号: CN102832348A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 徐明生;李俊杰;陈红征 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/44
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种图形化电极的制备方法,包括:(1)在电极表面覆上纳米结构层,纳米结构在电极表面的覆盖率为15%~100%;(2)以所述的纳米结构层为模板对所述的电极进行腐蚀;(3)除去所述的纳米结构层得到所述的图形化电极。该制备方法简单,得到的图形化电极表面的刻痕易于控制。本发明还公开了由该制备方法制得的图形化电极,该图形化电极在制备有机太阳能电池的过程中可以诱导有机光活性层形貌结构的优化,这样可以改善有机太阳能电池的性能,提高有机太阳能电池的光电能量转换效率。本发明还公开了一种有机太阳能电池,该有机太阳能电池可以低成本高效率地制造。
搜索关键词: 一种 图形 电极 制备 方法 有机 太阳能电池
【主权项】:
一种图形化电极的制备方法,其特征在于,包括:(1)在电极表面覆上纳米结构层,所述的纳米结构层中的纳米结构在电极表面的覆盖率为15%~100%;所述的在电极表面覆上纳米结构层的方法包括:直接在电极上合成纳米结构或者以溶液涂敷的方法将纳米结构结合到所述的电极表面上;(2)以所述的纳米结构层为模板对所述的电极进行腐蚀;所述的腐蚀的方法包括化学腐蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀;被腐蚀掉的电极的厚度为1nm~800nm;(3)除去所述的纳米结构层得到所述的图形化电极。
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