[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210308700.8 申请日: 2012-08-27
公开(公告)号: CN102956614B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 严大成 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 周晓雨,俞波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括平行延伸的多个导线,每个导线具有沿第一方向延伸的第一区域以及与第一区域耦接并沿与第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域;以及多个接触焊盘,每个接触焊盘与第二区域的相应导线耦接,其中,所述导线被分组并被布置在多个组中,第一组的第一区域比第二组的第一区域更长,并且第一组的第二区域与第二组的第二区域彼此间隔开。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:多个导线,所述多个导线平行延伸,并且每个导线包括沿第一方向延伸的第一区域以及与所述第一区域耦接并沿与所述第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域;以及多个接触焊盘,每个接触焊盘与所述导线中的相应一个的第二区域耦接,其中,所述多个导线被分组并被布置在多个组中,第一组的第一区域比第二组的第一区域更长,第一组的第二区域与第二组的第二区域彼此间隔开,其中,在一个组所包括的多个导线中,所述一个组中的中心导线沿所述第二方向具有实质最长的长度,随着导线位于更外侧,所述第二区域沿所述第二方向会具有比所述中心导线更短的长度,使得所述第二区域具有三角形的两侧对称形状。
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