[发明专利]一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210306684.9 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102796988A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 何云斌;方金钢;尚勋忠;王志强;黎明锴;常钢;周桃生;尹向阳 | 申请（专利权）人： | 广州金升阳科技有限公司;湖北大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C30B23/02;C30B23/06;C30B29/46;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 宣国华 |
| 地址： | 510663 广东省广州市萝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜的方法，将清洗过的CuInS2靶材和衬底分别放在靶台和样品台上装入真空室，调整靶台与样品台之间的间距为30~60mm，开启样品台和靶台自转，并调节样品台的自转速度为8~12r/min，靶台的自转速度为4~6r/min，调节衬底的生长温度为100~700℃，激光器的脉冲能量为150~250mJ，激光脉冲频率为1~10Hz，开启激光器，进行溅射沉积10~60min，将CuInS2靶材表面原子溅射出来沉积在衬底表面形成CuInS2外延薄膜。该方法工艺简单，对设备要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 法制 高度 取向 cuins sub 外延 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜的方法，特征是：将清洗过的CuInS2靶材和衬底分别放在靶台和样品台上装入真空室，调整靶台与样品台之间的间距为30~60mm，开启样品台和靶台自转，并调节样品台的自转速度为8~12r/min，靶台的自转速度为4~6r/min，调节衬底的生长温度为100~700℃，激光器的脉冲能量为150~250mJ，激光脉冲频率为1~10Hz，开启激光器，进行溅射沉积10~60min，将CuInS2靶材表面原子溅射出来沉积在衬底表面形成CuInS2外延薄膜。
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