[发明专利]一种含金属栅极的半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201210303576.6 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103632941A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 平延磊;周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明涉及一种含金属栅极的半导体器件及其制备方法，包括：提供一包含金属栅极的半导体衬底，所述金属栅极的最上层为金属材料层；以所述金属材料层为阳极，在电解液中进行电解，在所述金属材料层表面形成具有微孔的金属氧化物材料层，以增强所述金属材料层与其上方将形成的接触孔蚀刻停止层之间的粘附性能。在本发明中对所述金属材料层进行电解，在金属材料层的表面生成金属氧化物层，由于所述金属氧化物层上具有均匀分布的微孔，表面更为粗糙，所述金属氧化物层与上方所形成的接触孔蚀刻停止层之间的粘附力更强，因此在蚀刻或者平坦化的过程中两者不会分离，不再发生脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含金属栅极的半导体器件的制备方法，包括：提供一包含金属栅极的半导体衬底，所述金属栅极的最上层为金属材料层；以所述金属材料层为阳极，在电解液中进行电解，在所述金属材料层表面形成具有微孔的金属氧化物材料层，以增强所述金属材料层与其上方将形成的接触孔蚀刻停止层之间的粘附性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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