[发明专利]一种用于低功耗高可靠性相变存储器的掺氧纳米薄膜材料及其制备和应用有效
| 申请号： | 201210302541.0 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102800807A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;胡益丰;孙明成 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于低功耗高可靠性的掺氧Sb4Te的纳米相变薄膜材料。本发明的掺氧Sb4Te纳米相变薄膜材料及其制备，其化学成分采用STOx表示，ST代表Sb4Te，x=1、2或3；通过在射频溅射沉积Sb4Te薄膜的过程中同时通入氩气和氧气，并在纳米量级制备而成。本发明的掺氧STOx纳米薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比具有如下优点：STOx纳米相变薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性；相比未掺氧的Sb4Te薄膜材料具有更高的非晶态和晶态电阻，从而可以有效降低PCRAM操作功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 功耗 可靠性 相变 存储器 纳米 薄膜 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种掺氧Sb4Te纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述掺氧Sb4Te纳米相变薄膜材料采用磁控溅射方法制备，通过在射频溅射沉积Sb4Te薄膜的过程中同时通入氩气和氧气，并在纳米量级制备而成。
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