[发明专利]具沟槽型终端结构的超级结MOSFET结构及制备方法

摘要

本发明公开了具有沟槽型终端结构的超级结MOSFET器件的两种结构，其终端区呈环形，环形的拐角处为弧形，其他地方为直边；在第一种结构中，终端区沟槽内填充半导体材料和介质层；在第二种结构中，终端区沟槽进一步区分为直边处的沟槽和拐角处的沟槽，并仅对拐角处的沟槽填充半导体材料和介质层。本发明还公开了上述两种结构的超级结器件的制备方法。本发明通过将超级结终端结构设计为环形沟槽，并使终端环形沟槽内部部分填充半导体材料，部分填充介质层，如此即使终端环形沟槽内部有空洞残留，也不会造成击穿电压的下降或漏电流的增加，从而提高了超级结器件的性能。

主权项

具有沟槽型终端结构的超级结MOSFET器件，其特征在于，结构包括：半导体基底，在该半导体基底的背面具有第一电极；第一半导体层，包括有源区和终端区；其中：有源区包括多个第一沟槽、源极区、基极区、钝化绝缘层、绝缘控制电极以及第二电极；所述第一沟槽内填充第二半导体层，该第二半导体层的导电类型与第一半导体层相反；所述源极区位于基极区内，导电类型与第一半导体层相同；所述基极区位于相邻的两个第一沟槽之间，导电类型与第二半导体层相同；所述钝化绝缘层覆盖在所述绝缘控制电极的顶部及周围；所述绝缘控制电极临近源极区和基极区，用于控制源极区和第一电极之间的电流流动；所述第二电极连续覆盖在所述钝化绝缘层之上；终端区包括多个第二沟槽、钝化绝缘层和第二电极；所述第二沟槽的宽度大于第一沟槽，且内部填充第二半导体层和介质层；所述钝化绝缘层连续覆盖在第二沟槽之上；所述第二电极连续覆盖在绝缘钝化层之上。