[发明专利]相变随机存取存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210298827.6 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103137863A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朴南均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓琼;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种相变随机存取存储器件及其制造方法。所述相变随机存取存储器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的开关元件；形成在所述开关元件上的多个相变结构；以及掩埋在所述多个相变结构之间的吸热层，其中，所述多个相变结构与所述吸热层绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变随机存取存储器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的开关元件；形成在所述开关元件上的多个相变结构；以及掩埋在所述多个相变结构之间的吸热层，其中，所述多个相变结构与所述吸热层绝缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210298827.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钝角流动通道的连续包覆方法及包覆设备
- 下一篇：一种无机富锌漆
