[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201210296012.4 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103594521B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 游家华;张民杰;张荣芳 | 申请（专利权）人： | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 陈潇潇,南毅宁 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，该半导体元件包括第一导电层、绝缘层、第二导电层、通道层、保护层及第三导电层。该绝缘层覆盖该第一导电层。该第二导电层形成在该绝缘层上且内部具有开口。该通道层形成在该第二导电层的该开口上并完全覆盖该开口。该保护层形成在该通道层上方且覆盖该通道层，并具有位于该第二导电层的该开口内的通孔。该第三导电层形成在该通孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，该半导体元件包括：第一导电层；绝缘层，覆盖所述第一导电层；第二导电层，形成在所述绝缘层上且内部具有开口；通道层，形成在所述第二导电层的所述开口上并完全覆盖所述开口；保护层，形成在所述通道层上方且覆盖所述通道层，并具有位于所述第二导电层的所述开口内的通孔；以及第三导电层，该第三导电层为透明电极层且形成在所述通孔内并从所述通孔向外延伸而出。
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