[发明专利]单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法

摘要

本发明公开了一种单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法，包括：对正在生长的单晶硅棒进行实时拍摄，分析成像图，采用以下步骤进行测量：S1：在成像图上确定开始扫描点；S2：在成像图上确定晶线特征像素值；S3：在成像图上确定结束点；S4：在成像图上采用从右到左的扫面法从点开始逐行扫描遇到光圈则返回下一行扫描；S5：扫到晶线特征像素之后记录下最右边的像素点位置；S6：以最右边的像素点位置为最高点，计算从光圈到最高点的晶线平面高度x；S7：根据x，向控制机构发出测量结果。本发明的测量方法能够检测出硅棒在高温负压的环境中进行生长时，晶线是否存在，全程无需经验丰富的单晶工人参与，减少劳动强度，降低人力成本。

主权项

一种单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法，其特征在于：包括使用相机对正在生长的单晶硅棒进行实时拍摄，分析测量成像图，采用以下步骤进行分析测量：S1：在开始拍摄图像之前使用矩形线框在显示器显示的当前图像上圈出要检测的矩形区域，在矩形线框的右上角设置扫描起始点；S2：在成像图上确定晶线特征像素值；S3：在所述矩形线框的坐下角设置扫描结束点；S4：在所述矩形线框上采用从右到左的扫描法从S1中的起始点逐行扫描遇到光圈则返回下一行扫描，一直到S3中所述的结束点；S5：当在某一行内扫到晶线特征像素时，记录下该晶线特征像素的最右边像素点D的位置和与所述像素点D在同一行内并且在临近像素点D的光圈上的像素点C的位置；S6：以S5中所述的像素点D的位置为最高点，以像素点C的位置为最低点，计算从像素点C到像素点D的晶线平面高度x；其中，如果x等于0.5毫米，则表明该晶线未断线，此时正在生长的硅棒为单晶硅；如果x=0毫米，则表明该晶线断线，此时正在生长的硅棒为多晶硅；S7：根据S6中计算的晶线平面高度x，向控制机构发出测量结果。