[发明专利]屏蔽栅极沟槽MOSFET封装

摘要

一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管可以形成在衬底上，具有一个外延层在衬底上，以及一个本体层在外延层上。形成在本体层和外延层中的沟槽，内衬电介质层。屏蔽电极形成在沟槽下部。通过电介质层使屏蔽电极绝缘。栅极电极形成在屏蔽电极上方的沟槽中，并通过额外的电介质层，与屏蔽电极绝缘。一个或多个源极区形成在本体层中，位于沟槽的侧壁附近。源极垫形成在本体层上方，电连接到一个或多个源极区，并与栅极电极和屏蔽电极绝缘。源极垫提供到源极区的外部接头。栅极垫提供到栅极电极的外部接头。屏蔽电极垫提供到屏蔽电极的外部接头。电阻元件可以电连接在封装中的屏蔽电极垫和源极引线之间。

主权项

一种屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，包括：a）一个第一导电类型的衬底；b）一个第一导电类型的外延层，位于衬底的上方；c）一个第二导电类型的本体区，形成在外延层上方，第二导电类型与第一导电类型相反；d）一个形成在本体层和外延层中的沟槽，其中电介质层内衬沟槽；e）一个形成在沟槽下部的屏蔽电极，其中通过电介质层，屏蔽电极与外延层绝缘；f）一个形成在屏蔽电极上方的栅极电极，其中通过额外的电介质层，栅极电极与屏蔽电极绝缘；g）一个或多个第一导电类型的源极区，形成在本体层的顶面内，其中每个源极区都靠近沟槽侧壁；h）一个形成在本体层上方的源极垫，其中源极垫电连接到所述的一个或多个源极区，并与栅极电极和屏蔽电极绝缘，源极垫提供到源极区的外部接头；i）一个形成在本体层上方的栅极垫，其中栅极垫电连接到栅极电极，并与所述的一个或多个源极区和屏蔽电极绝缘，栅极垫提供到栅极电极的外部接头；以及j）一个形成在本体层上方的屏蔽垫，其中屏蔽垫电连接到屏蔽电极，并与所述的一个或多个源极区和栅极电极绝缘，屏蔽垫提供到屏蔽电极的外部接头。