[发明专利]半导体基板的断开方法有效
| 申请号： | 201210286783.5 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050391A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 村上 健二 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请发明涉及一种半导体基板的断开方法。在通过刻划及断开而呈格子状分断半导体基板的情况下，减少割断面的突起、破损。在对半导体基板(10)进行刻划及断开而分断成芯片的情况下，预先在刻划预定线的下方形成V字形的槽(12)。然后，沿着刻划预定线形成刻划线(14)，利用断开装置进行分断。这样一来，半导体芯片的背面不易产生突起、破损，从而能够提高垂直截面性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 断开 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板的断开方法，在半导体基板的表面形成刻划线，沿着该刻划线将所述半导体基板断开，在所述半导体基板的背面沿着刻划预定线形成槽，在所述半导体基板的表面沿着刻划预定线形成刻划线，沿着所述刻划线将所述半导体基板断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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