[发明专利]一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加剂无效
| 申请号： | 201210286207.0 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102758114A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 司松海;刘光磊;李晓薇;刘海霞;齐克尧;杨嵩 | 申请（专利权）人： | 镇江忆诺唯记忆合金有限公司 |
| 主分类号： | C22C30/02 | 分类号： | C22C30/02;C22C9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212009 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加剂，属于记忆合金技术领域，其特征为：化学成分为：Y20～28wt％、La8～15wt％、Ce5～12wt％、Nb+Pr+Eu+Gd+Tb+Ho+Er+Tm+Lu为10～18wt%，V2～6wt%、B2～5wt%，Zr2～5wt%，余为铜。所述复合稀土添加剂为块状合金，熔点范围800～1200℃，复合稀土添加剂加入量范围为0.3～0.8wt%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 低铝高锰 cualmn 低温 记忆 合金 复合 稀土 添加剂 | ||
【主权项】：
一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加剂，其特征为：化学成分为： Y 20～28wt％、La 8～15wt％、Ce5～12wt％、Nb +Pr + Eu +Gd +Tb +Ho +Er +Tm +Lu为10～18wt%，V2～6wt%、B2～5wt%，Zr2～5wt%，余为铜；所述复合稀土添加剂为块状合金，熔点范围800～1200℃，复合稀土添加剂加入量范围为0.3～0.8wt%。
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