[发明专利]一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201210281409.6 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103579326A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;尹江龙;马坤华;张新川;赵子奇;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化镓接触的栅极，其中源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与p型掺杂氮化镓形成肖特基接触，其特征在于，它还包括一层位于氮化镓沟道层和氮化铝成核层之间的p-AlxGayN/n-AlxGayN/……/p-AlxGayN/n-AlxGayN复合缓冲层，简称pn结复合缓冲层，其中p-AlxGayN代表p型掺杂铝镓氮，n-AlxGayN代表n型掺杂铝镓氮，以抑制电子在缓冲层内的输运，降低器件缓冲层泄漏电流，提升器件击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 纵向 复合 缓冲 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底(108)、氮化铝成核层(107)、氮化镓沟道层(109)、氮化铝插入层(106)、铝镓氮势垒层(105)、p型掺杂氮化镓(104)、源极(101)、漏极(102)以及和p型掺杂氮化镓(104)接触的栅极(103)；其中源极(101)和漏极(102)与铝镓氮势垒层(105)形成欧姆接触，栅极(103)与p型掺杂氮化镓(104)形成肖特基接触；其特征在于：它还包括一层位于氮化镓沟道层(109)和氮化铝成核层(107)之间的p‑AlxGayN/n‑AlxGayN/……/p‑AlxGayN/n‑AlxGayN复合缓冲层，简称pn结复合缓冲层(110)，其中p‑AlxGayN代表p型掺杂铝镓氮，n‑AlxGayN代表n型掺杂铝镓氮。
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