[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210277906.9 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102956679A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 小谷淳二;石黑哲郎;苫米地秀一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/335;H02M5/458 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；布置在所述衬底之上的GaN化合物半导体多层结构；以及基于AlN的并且布置在所述衬底与所述GaN化合物半导体多层结构之间的应力消除层，其中所述应力消除层的与所述GaN化合物半导体多层结构接触的表面包括具有深度为5nm或更大并且以2×1010cm-2或更大的数目密度形成的凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；设置在所述衬底之上的GaN化合物半导体多层结构；以及基于AlN的并且设置在所述衬底与所述GaN化合物半导体多层结构之间的应力消除层，其中所述应力消除层的与所述GaN化合物半导体多层结构接触的表面具有深度为5nm或更大并且以2×1010cm‑2或更大的数目密度形成的凹部。
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