[发明专利]基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201210276313.0 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102778724A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 王永进;于庆龙;胡芳仁;朱洪波 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件，实现载体为硅衬底氮化物晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物器件层和位于顶层氮化物器件层下部硅衬底层；所述硅衬底层的上表面具有一个凹槽；所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件结构；所述光波导器件结构的中部支撑结构为椭圆形支撑结构；本发明还设计了一种基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件的制备方法。本发明所设计的基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件及其制备方法能够降低器件的插入损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 氮化物 悬空 波导 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件，实现载体为硅衬底氮化物晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物器件层和位于顶层氮化物器件层下部硅衬底层，其特征在于：所述硅衬底层的上表面具有一个凹槽；所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件结构。
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