[发明专利]一种倒装结构发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210273949.X | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103579447A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 郑兆祯;朱俊宜;郭德博;涂庆明 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种倒装结构发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括从下至上依次叠加的金属支撑衬底、P型半导体层、量子井发光层、N型半导体层和非掺杂层。其结构特点是，所述金属支撑衬底和P型半导体层之间还置有N型欧姆接触金属层、绝缘膜和反射金属层。反射金属层上方及周围置有多层金属并延伸至旁边作为P型电极，金属支撑衬底经由N型欧姆接触金属层与N型半导体层连接为N型电极。同现有技术相比，本发明能有效避免发光二极管芯片侧壁漏电，提高芯片的可靠性能，并保留原垂直式LED结构的优点，使其发挥最大的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 结构 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装结构发光二极管，它包括从下至上依次叠加的导电导热的支撑衬底（220）、P型半导体层（208）、量子井发光层（206）、N型半导体层（204）和非掺杂层（202），其特征在于，所述导电导热的支撑衬底（220）和P型半导体层（208）之间还置有N型欧姆接触金属层（218）、绝缘膜（212）和反射金属层（210），反射金属层（210）连接多层金属（214）并延伸至旁边作为P型电极，导电导热的支撑衬底（220）与N型欧姆接触金属层(218)连接为N型电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同方光电科技有限公司;同方股份有限公司，未经同方光电科技有限公司;同方股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210273949.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
