[发明专利]制造光纤预制件的方法无效
申请号: | 201210272386.2 | 申请日: | 2012-08-01 |
公开(公告)号: | CN102910813A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 春名彻也;平野正晃;田村欣章 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C03B37/014 | 分类号: | C03B37/014 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;何胜勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种制造光纤预制件的方法,该光纤预制件适于以高的成品率制造低衰减光纤。该方法包括制备芯棒的步骤以及附加包层区域的步骤。在制备芯棒的步骤中,制造具有第一芯层区域(21)、第二芯层区域(22)和第三芯层区域(23)的芯棒,其中,将碱金属选择性地添加到第一芯层区域、第二芯层区域和第三芯层区域中的第一芯层区域中,第一芯层区域具有小于600atm·ppm的氯浓度,第二芯层区域具有小于600atm·ppm的氯浓度并形成在第一芯层区域周围,第三芯层区域具有3000atm·ppm或更大的氯浓度并形成在第二芯层区域周围。在附加包层区域的步骤中,通过在不低于1200℃的温度下进行7小时以下的加热来在芯棒周围形成包层区域(30)。 | ||
搜索关键词: | 制造 光纤 预制件 方法 | ||
【主权项】:
一种制造光纤预制件的方法,所述光纤预制件具有:芯层区域,其包括中心轴线;以及包层区域,其形成在所述芯层区域周围,所述包层区域的折射率低于所述芯层区域的折射率,所述方法包括:制备具有第一芯层区域、第二芯层区域和第三芯层区域的芯棒的步骤,其中,将碱金属选择性地添加到所述第一芯层区域、所述第二芯层区域和所述第三芯层区域中的所述第一芯层区域中,所述第一芯层区域具有小于600atm·ppm的氯浓度并包含所述中心轴线,所述第二芯层区域具有小于600atm·ppm的氯浓度并形成在所述第一芯层区域周围,所述第三芯层区域具有3000atm·ppm或更大的氯浓度并形成在所述第二芯层区域周围;以及附加包层区域的步骤,通过在不低于1200℃的温度下进行7小时以下的加热来在所述芯棒周围附加所述包层区域。
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