[发明专利]制造光纤预制件的方法无效

专利信息
申请号: 201210272386.2 申请日: 2012-08-01
公开(公告)号: CN102910813A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 春名彻也;平野正晃;田村欣章 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C03B37/014 分类号: C03B37/014
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 顾红霞;何胜勇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种制造光纤预制件的方法,该光纤预制件适于以高的成品率制造低衰减光纤。该方法包括制备芯棒的步骤以及附加包层区域的步骤。在制备芯棒的步骤中,制造具有第一芯层区域(21)、第二芯层区域(22)和第三芯层区域(23)的芯棒,其中,将碱金属选择性地添加到第一芯层区域、第二芯层区域和第三芯层区域中的第一芯层区域中,第一芯层区域具有小于600atm·ppm的氯浓度,第二芯层区域具有小于600atm·ppm的氯浓度并形成在第一芯层区域周围,第三芯层区域具有3000atm·ppm或更大的氯浓度并形成在第二芯层区域周围。在附加包层区域的步骤中,通过在不低于1200℃的温度下进行7小时以下的加热来在芯棒周围形成包层区域(30)。
搜索关键词: 制造 光纤 预制件 方法
【主权项】:
一种制造光纤预制件的方法,所述光纤预制件具有:芯层区域,其包括中心轴线;以及包层区域,其形成在所述芯层区域周围,所述包层区域的折射率低于所述芯层区域的折射率,所述方法包括:制备具有第一芯层区域、第二芯层区域和第三芯层区域的芯棒的步骤,其中,将碱金属选择性地添加到所述第一芯层区域、所述第二芯层区域和所述第三芯层区域中的所述第一芯层区域中,所述第一芯层区域具有小于600atm·ppm的氯浓度并包含所述中心轴线,所述第二芯层区域具有小于600atm·ppm的氯浓度并形成在所述第一芯层区域周围,所述第三芯层区域具有3000atm·ppm或更大的氯浓度并形成在所述第二芯层区域周围;以及附加包层区域的步骤,通过在不低于1200℃的温度下进行7小时以下的加热来在所述芯棒周围附加所述包层区域。
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